特徴: ◊ 4 CWDM レーン MUX/DEMUX 設計 ◊ チャネルあたり最大 11.2Gbps の帯域幅 ◊ 集約帯域幅 > 40Gbps ◊ デュプレックス LC コネクタ ◊ 40G イーサネット IEEE802.3ba および 40GBASE-ER4 標準に準拠 ◊ QSFP MSA 準拠 ◊ APD フォトディテクタ ◊ 最大 40 km の伝送 ◊ QDR/DDR Infiniband データ レートに準拠 ◊ 単一 +3.3V 電源で動作 ◊ 組み込みデジタル診断機能 ◊ 温度範囲 0°C ～ 70°C ◊ RoHS 準拠 部品アプリケーション: ◊ ラックツーラック ◊ データ センター スイッチとルーター ◊ メトロ ネットワーク ◊ スイッチとルーター ◊ 40G BASE-ER4 イーサネット リンク 説明: JHA-QC40は、40km光通信アプリケーション向けに設計されたトランシーバモジュールです。この設計は、IEEE P802.3ba規格の40GBASE-ER4に準拠しています。このモジュールは、10Gb/s電気データの4入力チャネル（ch）を4つのCWDM光信号に変換し、40Gb/s光伝送用の単一チャネルに多重化します。逆に、受信側では、モジュールは40Gb/s入力を4つのCWDMチャネル信号に光学的に逆多重化し、4チャネル出力電気データに変換します。4つのCWDMチャネルの中心波長は、ITU-T G694.2で定義されたCWDM波長グリッドのメンバーである1271、1291、1311、1331 nmです。光インターフェイス用のデュプレックスLCコネクタと電気インターフェイス用の38ピンコネクタが含まれています。長距離システムの光分散を最小限に抑えるには、このモジュールにシングルモード ファイバー (SMF) を適用する必要があります。この製品は、QSFP マルチソース アグリーメント (MSA) に従ってフォーム ファクター、光/電気接続、デジタル診断インターフェイスを使用して設計されています。温度、湿度、EMI 干渉などの最も厳しい外部動作条件を満たすように設計されています。モジュールは単一の +3.3V 電源で動作し、モジュール存在、リセット、割り込み、低電力モードなどの LVCMOS/LVTTL グローバル制御信号がモジュールで使用できます。2 線シリアル インターフェイスを使用して、より複雑な制御信号を送受信し、デジタル診断情報を取得できます。個々のチャネルをアドレス指定し、未使用のチャネルをシャットダウンして、設計の柔軟性を最大限に高めることができます。JHA-QC40 は、QSFP マルチソース アグリーメント (MSA) に従ってフォーム ファクター、光/電気接続、デジタル診断インターフェイスを使用して設計されています。温度、湿度、EMI 干渉などの最も厳しい外部動作条件を満たすように設計されています。モジュールは、2 線シリアル インターフェイスを介してアクセスできる非常に高い機能性と機能統合を提供します。 • 絶対最大定格 パラメータ シンボル 最小 標準 最大 単位 保管温度 TS -40 +85 °C 電源電圧 VCCT, R -0.5 4 V 相対湿度 RH 0 85 % • 推奨動作環境： パラメータ シンボル 最小 標準 最大単位 ケース動作温度 TC 0 +70 °C 電源電圧 VCCT、R +3.13 3.3 +3.47 V 電源電流 ICC 1000 mA 消費電力 PD 3.5 W • 電気的特性 (TOP = 0 ～ 70 °C、VCC = 3.13 ～ 3.47 ボルト) パラメータ シンボル 最小 標準 最大 単位 注記 チャネルあたりのデータ レート - 10.3125 11.2 Gbps 消費電力 - 2.5 3.5 W 電源電流 Icc 0.75 1.0 A 制御 I/O 電圧 - 高 VIH 2.0 Vcc V 制御 I/O 電圧 - 低 VIL 0 0.7 V チャネル間スキュー TSK 150 Ps RESETL 期間 10 Us RESETL デアサート時間 100 ms 電源オン時間 100 ms トランスミッタ シングルエンド出力電圧許容差0.3 4 V 1 同相モード電圧許容差 15 mV 送信入力差動電圧 VI 150 1200 mV 送信入力差動インピーダンス ZIN 85 100 115 データ依存入力ジッタ DDJ 0.3 UI レシーバシングルエンド出力電圧許容差 0.3 4 V Rx 出力差動電圧 Vo 370 600 950 mV Rx 出力立ち上がりおよび立ち下がり電圧 Tr/Tf 35 ps 1 トータルジッタ TJ 0.3 UI 注: 20～80% • 光パラメータ(TOP = 0 ～ 70 °C、VCC = 3.0 ～ 3.6 Volts) パラメータ 記号 最小 標準 最大 単位 Ref.送信機波長割り当て L0 1264.5 1271 1277.5 nm L1 1284.5 1291 1297.5 nm L2 1304.5 1311 1317.5 nm L3 1324.5 1331 1337.5 nm サイドモード抑制比 SMSR 30 - - dB 合計平均発射パワー PT - - 8.3 dBm 平均発射パワー、各レーン -3 - 5 dBm TDP、各レーン TDP 2.3 dB 消光比 ER 3.5 6.0 dB 送信機アイマスク定義 {X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3} {0.25、0.4、0.45、0.25、0.28、0.4} 光リターンロス許容値 - - 20 dB 平均発射電力 OFF トランスミッタ、各レーン Poff -30 dBm 相対強度ノイズ Rin -128 dB/HZ 1 光リターンロス許容値 - - 12 dB レシーバ損傷しきい値 THd 3 dBm 1 レシーバ入力時の平均電力、各レーン R -21 -6 dBm 受信電気 3 dB 上限カットオフ周波数、各レーン 12.3 GHz RSSI 精度 -2 2 dB レシーバ反射率 Rrx -26 dB レシーバ電力 (OMA)、各レーン - - 3.5 dBm 受信電気 3 dB 上限カットオフ周波数、各レーン 12.3 GHz LOS デアサート LOSD -25 dBm LOS アサート LOSA -35 dBm LOS ヒステリシス LOSH 0.5 dB 注 12dB 反射 • 診断モニタリング インターフェイス デジタル診断モニタリング機能は、すべての QSFP+ で使用できます。 ER4。2 線式シリアル インターフェイスは、ユーザーがモジュールと連絡を取るための手段を提供します。メモリの構造は、フロー図に示されています。メモリ空間は、128 バイトの下位の単一ページ アドレス空間と、複数の上位アドレス空間ページで構成されています。この構造により、割り込みフラグやモニターなどの下位ページのアドレスにタイムリーにアクセスできます。シリアル ID 情報やしきい値設定などの時間的制約がそれほど厳しくない時間エントリは、ページ選択機能で使用できます。使用されるインターフェイス アドレスは A0xh で、割り込み処理などの時間的に制約のあるデータに主に使用され、割り込み状況に関連するすべてのデータを 1 回で読み取ることができます。割り込み後、IntL がアサートされると、ホストはフラグ フィールドを読み取って、影響を受けるチャネルとフラグのタイプを判別できます。EEPROM シリアル ID メモリの内容 (A0h) データ アドレス 長さ (バイト) 長さの名前 説明と内容 ベース ID フィールド 128 1 識別子 識別子 シリアル モジュールのタイプ (D=QSFP+) 129 1 Ext.識別子 シリアルモジュールの拡張識別子(90=2.5W) 130 1 コネクタ コネクタタイプのコード(7=LC) 131-138 8 仕様準拠 電子互換性または光学互換性のコード(40GBASE-LR4) 139 1 エンコーディング シリアルエンコーディングアルゴリズムのコード(5=64B66B) 140 1 BR、公称 公称ビットレート、単位は100 MBits/s(6C=108) 141 1 拡張レート選択準拠 拡張レート選択準拠のタグ 142 1 長さ(SMF) SMFファイバーでサポートされるリンク長(km)(28=40KM) 143 1 長さ(OM3 50um) EBW 50/125umファイバーでサポートされるリンク長(OM3)、単位は2m 144 1 長さ(OM2 50um) 50/125umファイバーでサポートされるリンク長(OM2)、単位は1m 145 1 長さ(OM1 62.5um) 62.5/125um ファイバー(OM1)でサポートされているリンク長、単位は 1m 146 1 長さ(銅) 銅またはアクティブ ケーブルのリンク長、単位は 1m 50/125um ファイバー(OM4)でサポートされているリンク長、単位は 2m (バイト 147 が表 37 で定義されている 850nm VCSEL を宣言する場合) 147 1 デバイス技術 デバイス技術 148-163 16 ベンダー名 QSFP+ ベンダー名: TIBTRONIX (ASCII) 164 1 拡張モジュール InfiniBand の拡張モジュール コード 165-167 3 ベンダー OUI QSFP+ ベンダー IEEE 企業 ID(000840) 168-183 16 ベンダー PN 部品番号: JHA-QC40 (ASCII) 184-185 2ベンダー rev ベンダーが提供する部品番号のリビジョン レベル (ASCII) (X1) 186-187 2 波長または銅ケーブル減衰 公称レーザー波長 (波長 = 値/20、nm 単位) または 2.5GHz (Adrs 186) および 5.0GHz (Adrs 187) での銅ケーブル減衰量 (dB 単位) (65A4=1301) 188-189 2 波長許容差 公称波長からのレーザー波長の保証範囲 (+/- 値)。 (波長許容差 = 値/200、nm 単位) (1C84=36.5) 190 1 最大ケース温度。最大ケース温度（70） 191 1 CC_BASE ベース ID フィールド（アドレス 128-190）のチェック コード 拡張 ID フィールド 192-195 4 オプション レート選択、TX 無効、Tx 障害、LOS、温度、VCC、RX、電力、TX バイアスの警告インジケータ 196-211 16 ベンダー SN ベンダーが提供するシリアル番号（ASCII） 212-219 8 日付コード ベンダーの製造日コード 220 1 診断モニタリング タイプ モジュールに実装されている診断モニタリングのタイプ（ある場合）を示します。 ビット 1、0 予約済み（8=平均電力） 221 1 拡張オプション モジュールに実装されているオプションの拡張機能を示します。 222 1 予約済み 223 1 CC_EXT 拡張 ID フィールド (アドレス 192 ～ 222) のチェック コード ベンダー固有 ID フィールド 224 ～ 255 32 ベンダー固有 EEPROM • ソフト制御およびステータス機能のタイミング パラメータ シンボル 最大 単位 条件 初期化時間 t_init 2000 ms 電源投入1、ホット プラグ、またはリセットの立ち上がりエッジからモジュールが完全に機能するまでの時間2 リセット初期化アサート時間 t_reset_init 2 μs ResetL ピンに存在する最小リセット パルス時間よりも長いロー レベルによってリセットが生成されます。シリアルバスハードウェア準備時間 t_serial 2000 ms 電源投入1からモジュールが2線式シリアルバス上のデータ転送に応答するまでの時間 モニターデータ準備時間 t_data 2000 ms 電源投入1からデータ準備完了、バイト2のビット0がデアサートされ、IntLがアサートされるまでの時間 リセットアサート時間 t_reset 2000 ms ResetLピンの立ち上がりエッジからモジュールが完全に機能するまでの時間2 LPModeアサート時間 ton_LPMode 100 μs LPMode（Vin:LPMode =Vih）のアサートからモジュールの電力消費がより低い電力レベルになるまでの時間 IntLアサート時間 ton_IntL 200 ms IntLをトリガーする条件の発生からVout:IntL = Volになるまでの時間 IntLデアサート時間 toff_IntL 500 μs toff_IntL 500 μs 関連フラグの読み取り3操作によるクリアからVout:IntL = Voh。これには、Rx LOS、Tx Fault、およびその他のフラグ ビットのデアサート時間が含まれます。 Rx LOS アサート時間 ton_los 100 ms Rx LOS 状態から Rx LOS ビットが設定され、IntL がアサートされるまでの時間 フラグ アサート時間 ton_flag 200 ms 条件トリガー フラグの発生から、関連するフラグ ビットが設定され、IntL がアサートされるまでの時間 マスク アサート時間 ton_mask 100 ms マスク ビットが設定されてから、関連する IntL アサートが禁止されるまでの時間 マスク デアサート時間 toff_mask 100 ms マスク ビットがクリアされてから、関連する IntlL 操作が再開されるまでの時間 ModSelL アサート時間 ton_ModSelL 100 μs ModSelL がアサートされてから、モジュールが 2 線シリアル バス上のデータ送信に応答するまでの時間 ModSelL デアサート時間 toff_ModSelL 100 μs ModSelL がデアサートされてから、モジュールが 2 線シリアル バス上のデータ送信に応答しなくなるまでの時間 Power_over-rideまたは Power-set アサート時間 ton_Pdown 100 ms P_Down ビットが設定されてから 4、モジュールの電力消費がより低い電力レベルになるまでの時間 Power_over-ride または Power-set デアサート時間 toff_Pdown 300 ms P_Down ビットがクリアされてから 4、モジュールが完全に機能するまでの時間 3 注： 1. 電源オンは、供給電圧が最小指定値以上に到達し、その状態が維持される瞬間として定義されます。 2. 完全に機能するとは、データ準備完了ビット、ビット 0 バイト 2 がデアサートされたために IntL がアサートされたと定義されます。 3. 読み取りトランザクションのストップ ビット後の立ち下がりクロック エッジから測定されます。 4. 書き込みトランザクションのストップ ビット後の立ち下がりクロック エッジから測定されます。 • トランシーバ ブロック図 • ホスト ボード コネクタ ブロックのピン割り当て図 ピン番号と名前 • ピンの説明 ピン ロジック シンボル 名前/説明 参照1 GND グランド 1 2 CML-I Tx2n トランスミッタ反転データ入力 3 CML-I Tx2p トランスミッタ非反転データ出力 4 GND グランド 1 5 CML-I Tx4n トランスミッタ反転データ出力 6 CML-I Tx4p トランスミッタ非反転データ出力 7 GND グランド 1 8 LVTTL-I ModSelL モジュール選択 9 LVTTL-I ResetL モジュールリセット 10 VccRx +3.3V 電源レシーバ 2 11 LVCMOS-I/O SCL 2 線シリアルインターフェースクロック 12 LVCMOS-I/O SDA 2 線シリアルインターフェースデータ 13 GND グランド 1 14 CML-O Rx3p レシーバ反転データ出力 15 CML-O Rx3n レシーバ非反転データ出力 16 GND グランド 1 17 CML-O Rx1p レシーバー反転データ出力 18 CML-O Rx1n レシーバー非反転データ出力 19 GND グランド 1 20 GND グランド 1 21 CML-O Rx2n レシーバー反転データ出力 22 CML-O Rx2p レシーバー非反転データ出力 23 GND グランド 1 24 CML-O Rx4n レシーバー反転データ出力 25 CML-O Rx4p レシーバー非反転データ出力 26 GND グランド 1 27 LVTTL-O ModPrsL モジュール存在 28 LVTTL-O IntL 割り込み 29 VccTx +3.3V 電源トランスミッター 2 30 Vcc1 +3.3V 電源 2 31 LVTTL-I LPMode 低電力モード 32 GND グランド 1 33 CML-I Tx3pトランスミッタ反転データ出力 34 CML-I Tx3n トランスミッタ非反転データ出力 35 GND グランド 1 36 CML-I Tx1p トランスミッタ反転データ出力 37 CML-I Tx1n トランスミッタ非反転データ出力 38 GND グランド 1 注: GND は QSFP モジュールのシングルおよび電源コモンのシンボルです。QSFP モジュール内ではすべてコモンであり、特に明記されていない限り、すべてのモジュール電圧はこの電位を基準としています。これらをホスト ボードの信号コモン グランド プレーンに直接接続します。レーザー出力は TDIS >2.0V で無効、またはオープン、TDIS