คุณสมบัติ: ◊ เป็นไปตามข้อกำหนดทางไฟฟ้า 40GbE XLPPI ตามมาตรฐาน IEEE 802.3ba-2010 ◊ เป็นไปตามข้อกำหนด QSFP+ SFF-8436 ◊ แบนด์วิดท์รวม > 40Gbps ◊ ทำงานที่ 10.3125 Gbps ต่อช่องสัญญาณไฟฟ้าด้วยข้อมูลที่เข้ารหัส 64b/66b ◊ เป็นไปตามข้อกำหนด QSFP MSA ◊ สามารถส่งข้อมูลได้เกิน 100 ม. บน OM3 Multimode Fiber (MMF) และ 150 ม. บน OM4 MMF ◊ แหล่งจ่ายไฟ +3.3V เดียวทำงาน ◊ ไม่มีฟังก์ชันการวินิจฉัยแบบดิจิทัล ◊ ช่วงอุณหภูมิ 0°C ถึง 70°C ◊ ชิ้นส่วนที่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS ◊ ใช้สายเคเบิลไฟเบอร์ดูเพล็กซ์ LC มาตรฐาน ช่วยให้สามารถนำโครงสร้างพื้นฐานของสายเคเบิลที่มีอยู่กลับมาใช้ใหม่ได้ การใช้งาน: ◊ อินเตอร์คอนเนคต์อีเทอร์เน็ต 40 กิกะบิต ◊ การสื่อสารข้อมูล/โทรคมนาคม การเชื่อมต่อสวิตช์และเราเตอร์ ◊ การรวมข้อมูลและแอปพลิเคชันแบ็คเพลน ◊ แอปพลิเคชันโปรโตคอลและความหนาแน่นที่เป็นกรรมสิทธิ์ คำอธิบาย: เป็นเครื่องรับส่งสัญญาณไฟเบอร์ออปติก QSFP+ แบบเสียบปลั๊กได้สี่ช่องสัญญาณสำหรับแอปพลิเคชันอีเธอร์เน็ต 40 กิกะบิต เครื่องรับส่งสัญญาณนี้เป็นโมดูลประสิทธิภาพสูงสำหรับการสื่อสารข้อมูลแบบดูเพล็กซ์ระยะสั้นและแอปพลิเคชันเชื่อมต่อ โดยจะผสานช่องสัญญาณข้อมูลไฟฟ้าสี่ช่องในแต่ละทิศทางเข้าในการส่งข้อมูลผ่านสายเคเบิลไฟเบอร์ออปติกแบบดูเพล็กซ์ LC เส้นเดียว โดยช่องสัญญาณไฟฟ้าแต่ละช่องทำงานที่ 10.3125 Gbps และเป็นไปตามอินเทอร์เฟซ 40GE XLPPI เครื่องรับส่งสัญญาณจะมัลติเพล็กซ์อินเทอร์เฟซ XLPPI 4x10G ภายในเป็นสองช่องสัญญาณไฟฟ้า 20Gb/s โดยส่งและรับแต่ละช่องสัญญาณโดยใช้ใยแก้วนำแสงผ่านใยแก้วนำแสงแบบซิมเพล็กซ์ LC หนึ่งเส้นโดยใช้ใยแก้วนำแสงแบบสองทิศทาง ส่งผลให้แบนด์วิดท์รวม 40Gbps ในสายเคเบิล LC แบบดูเพล็กซ์ ซึ่งช่วยให้สามารถนำโครงสร้างพื้นฐานสายเคเบิล LC แบบดูเพล็กซ์ที่ติดตั้งไว้แล้วมาใช้ซ้ำสำหรับแอปพลิเคชัน 40GbE ได้ รองรับระยะการเชื่อมต่อสูงสุด 100 ม. โดยใช้ OM3 และ 150 ม. โดยใช้ใยแก้วนำแสง OM4 โมดูลเหล่านี้ได้รับการออกแบบให้ทำงานบนระบบใยแก้วนำแสงแบบมัลติโหมดโดยใช้ความยาวคลื่น 850 นาโนเมตรที่ปลายด้านหนึ่งและ 900 นาโนเมตรที่ปลายอีกด้านหนึ่ง อินเทอร์เฟซไฟฟ้าใช้ขั้วต่อขอบแบบ QSFP+ 38 คอนแท็กต์ อินเทอร์เฟซออปติกใช้ขั้วต่อ LC ดูเพล็กซ์แบบธรรมดา แผนผังบล็อกทรานซีฟเวอร์ • ค่าสูงสุดสัมบูรณ์ สัญลักษณ์พารามิเตอร์ ค่าต่ำสุด ค่าสูงสุดทั่วไป อุณหภูมิในการจัดเก็บหน่วย TS -40 +85 °C แรงดันไฟจ่าย VCCT, R -0.5 4 V ความชื้นสัมพัทธ์ RH 0 85 % • สภาพแวดล้อมการทำงานที่แนะนำ: สัญลักษณ์พารามิเตอร์ ค่าต่ำสุดทั่วไป สูงสุด หน่วย อุณหภูมิการทำงานของเคส TC 0 +70 °C แรงดันไฟจ่าย VCCT, R +3.13 3.3 +3.47 V กระแสไฟจ่าย ICC 1000 mA การสูญเสียพลังงาน PD 3.5 W • ลักษณะทางไฟฟ้า (TOP = 0 ถึง 70 °C, VCC = 3.13 ถึง 3.47 โวลต์ สัญลักษณ์พารามิเตอร์ ต่ำสุด ประเภท สูงสุด หน่วย หมายเหตุ อัตราข้อมูลต่อช่องสัญญาณ - 10.3125 11.2 Gbps การใช้พลังงาน - 2.5 3.5 W กระแสไฟจ่าย Icc 0.75 1.0 A แรงดันไฟควบคุม I/O สูง VIH 2.0 Vcc V แรงดันไฟควบคุม I/O ต่ำ VIL 0 0.7 V เอียงระหว่างช่องสัญญาณ TSK 150 Ps ระยะเวลา RESETL 10 Us RESETL เวลายกเลิกการยืนยัน 100 มิลลิวินาที เวลาเปิดเครื่อง 100 มิลลิวินาที เครื่องส่งสัญญาณ สิ้นสุดครั้งเดียว ความคลาดเคลื่อนของแรงดันไฟขาออก 0.3 4 V 1 ไทย: โหมดทั่วไป ความคลาดเคลื่อนของแรงดันไฟฟ้า 15 mV แรงดันไฟฟ้าต่างระหว่างอินพุตส่ง VI 120 1200 mV ความต้านทานของอินพุตส่ง ZIN 80 100 120 ความสั่นไหวของอินพุตที่ขึ้นอยู่กับข้อมูล DDJ 0.1 ความสั่นไหวรวมของอินพุตข้อมูล UI TJ 0.28 ความคลาดเคลื่อนของแรงดันไฟฟ้าขาออกแบบปลายเดียวของตัวรับ UI 0.3 4 V Rx แรงดันไฟฟ้าต่างระหว่างเอาต์พุต Vo 600 800 mV Rx แรงดันไฟฟ้าขึ้นและลงของเอาต์พุต Tr/Tf 35 ps 1 ความสั่นไหวรวม TJ 0.7 ความสั่นไหวที่กำหนดโดย UI DJ 0.42 หมายเหตุ UI: 20～80% • พารามิเตอร์ออปติคัล (TOP = 0 ถึง 70 °C, VCC = 3.0 ถึง 3.6 โวลต์) สัญลักษณ์พารามิเตอร์ ต่ำสุด ประเภท สูงสุด หน่วย อ้างอิง เครื่องส่ง ความยาวคลื่นแสง CH1 λ 832 850 868 นาโนเมตร ความยาวคลื่นแสง CH2 λ 882 900 918 นาโนเมตร RMS ความกว้างสเปกตรัม Pm 0.5 0.65 นาโนเมตร กำลังแสงเฉลี่ยต่อช่องสัญญาณ Pavg -4 -2.5 +5.0 dBm เลเซอร์ปิดกำลังต่อช่องสัญญาณ Poff -30 dBm อัตราส่วนการสูญเสียแสง ER 3.5 dB ความเข้มสัมพันธ์ สัญญาณรบกวน Rin -128 dB/HZ 1 ความคลาดเคลื่อนของการสูญเสียแสงกลับ 12 dB ตัวรับ ความยาวคลื่นแสงกลาง CH1 λ 882 900 918 นาโนเมตร ความยาวคลื่นแสงกลาง CH2 λ 832 850 868 นาโนเมตร ความไวของตัวรับต่อช่องสัญญาณ R -11 dBm กำลังไฟฟ้าเข้าสูงสุด PMAX +0.5 dBm การสะท้อนของตัวรับ Rrx -12 dB LOS De-Assert LOSD -14 dBm LOS Assert LOSA -30 dBm ฮิสเทอรีซิส LOS LOSH 0.5 dB หมายเหตุ 12dB การสะท้อนกลับ หน้า 02 คือ EEPROM ของผู้ใช้และรูปแบบที่ผู้ใช้กำหนด คำอธิบายโดยละเอียดของหน่วยความจำต่ำและหน้า 03 หน่วยความจำบน โปรดดูเอกสาร SFF-8436 • การกำหนดเวลาสำหรับการควบคุมแบบซอฟต์และฟังก์ชันสถานะ สัญลักษณ์พารามิเตอร์ เงื่อนไขหน่วยสูงสุด เวลาเริ่มต้นระบบ t_init 2000 มิลลิวินาที เวลาจากการเปิดเครื่อง1, เสียบปลั๊กขณะร้อนหรือขอบขาขึ้นของการรีเซ็ตจนกว่าโมดูลจะทำงานได้เต็มที่2 เวลายืนยันการรีเซ็ตการเริ่มต้นระบบ t_reset_init 2 μs การรีเซ็ตจะสร้างขึ้นโดยระดับต่ำที่นานกว่าเวลาพัลส์รีเซ็ตขั้นต่ำที่มีอยู่บนพิน ResetL เวลาพร้อมฮาร์ดแวร์บัสอนุกรม t_serial 2000 มิลลิวินาที เวลาตั้งแต่เปิดเครื่อง 1 จนกว่าโมดูลจะตอบสนองต่อการส่งข้อมูลผ่านบัสอนุกรม 2 สาย ตรวจสอบเวลาพร้อมข้อมูล t_data 2000 มิลลิวินาที เวลาตั้งแต่เปิดเครื่อง 1 จนกระทั่งข้อมูลไม่พร้อม บิต 0 ของไบต์ 2 ยกเลิกยืนยันและยืนยัน IntL เวลายืนยันการรีเซ็ต t_reset 2000 มิลลิวินาที เวลาตั้งแต่ขอบขาขึ้นบนพิน ResetL จนกระทั่งโมดูลทำงานได้เต็มที่2 เวลายืนยัน LPMode ton_LPMode 100 μs เวลาตั้งแต่ยืนยัน LPMode (Vin:LPMode =Vih) จนกระทั่งการใช้พลังงานของโมดูลเข้าสู่ระดับที่ต่ำกว่า เวลายืนยัน IntL ton_IntL 200 มิลลิวินาที เวลาตั้งแต่เกิดเงื่อนไขที่กระตุ้น IntL จนกระทั่ง Vout:IntL = Vol เวลายืนยัน IntL toff_IntL 500 μs toff_IntL 500 μs เวลาตั้งแต่เคลียร์ในการดำเนินการ read3 ที่เกี่ยวข้อง แฟล็กจนกว่า Vout:IntL = Voh ซึ่งรวมถึงเวลาการยกเลิกการยืนยันสำหรับ Rx LOS, Tx Fault และบิตแฟล็กอื่นๆ เวลายืนยัน Rx LOS ton_los 100 ms เวลาจากสถานะ Rx LOS ถึงบิตชุด Rx LOS และยืนยัน IntL เวลายืนยันแฟล็ก ton_flag 200 ms เวลาจากการเกิดแฟล็กทริกเกอร์เงื่อนไขถึงบิตชุดแฟล็กที่เกี่ยวข้องและยืนยัน IntL เวลายืนยันมาสก์ ton_mask 100 ms เวลาจากบิตชุดมาสก์4 จนกระทั่งการยืนยัน IntL ที่เกี่ยวข้องถูกยับยั้ง เวลายืนยันการยกเลิกการยืนยันมาสก์ toff_mask 100 ms เวลาจากบิตมาสก์เคลียร์4 จนกระทั่งการดำเนินการ IntlL ที่เกี่ยวข้องกลับมาดำเนินการต่อ เวลายืนยัน ModSelL ton_ModSelL 100 μs เวลาจากการยืนยัน ModSelL จนกระทั่งโมดูลตอบสนองต่อการส่งข้อมูลผ่านบัสอนุกรม 2 สาย เวลายืนยัน ModSelL toff_ModSelL 100 μs เวลาจากการยืนยัน ModSelL จนกระทั่งโมดูลไม่ตอบสนองต่อการส่งข้อมูลผ่านบัสอนุกรม 2 สาย เวลายืนยัน Power_over-ride หรือ Power-set ton_Pdown 100 ms เวลาจากบิต P_Down ตั้งค่า 4 จนกว่าการใช้พลังงานของโมดูลจะเข้าสู่ระดับพลังงานที่ต่ำกว่า Power_over-ride หรือ Power-set De-assert Time toff_Pdown 300 ms เวลาจากบิต P_Down ล้าง4 จนกว่าโมดูลจะทำงานได้เต็มที่3 หมายเหตุ： 1. เปิดเครื่องถูกกำหนดให้เป็นช่วงเวลาที่แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายถึงและคงอยู่ที่หรือสูงกว่าค่าต่ำสุดที่ระบุ 2. ทำงานเต็มที่ถูกกำหนดให้เป็น IntL ยืนยันเนื่องจากบิตข้อมูลไม่พร้อม บิต 0 ไบต์ 2 ยืนยัน 3. วัดจากขอบนาฬิกาที่ลดลงหลังจากบิตหยุดของธุรกรรมการอ่าน 4. วัดจากขอบนาฬิกาที่ลดลงหลังจากบิตหยุดของธุรกรรมการเขียน • ไดอะแกรมการกำหนดพินของบล็อกตัวเชื่อมต่อบอร์ดโฮสต์ หมายเลขพินและชื่อพิน • คำอธิบายพิน ชื่อ/คำอธิบายสัญลักษณ์ลอจิกของพิน อ้างอิง 1 GND กราวด์ 1 2 CML-I Tx2n อินพุตข้อมูลกลับด้านของเครื่องส่งสัญญาณ 3 CML-I Tx2p เอาต์พุตข้อมูลไม่กลับด้านของเครื่องส่งสัญญาณ 4 GND กราวด์ 1 5 CML-I Tx4n เอาต์พุตข้อมูลกลับด้านของเครื่องส่งสัญญาณ 6 CML-I Tx4p เอาต์พุตข้อมูลไม่กลับด้านของเครื่องส่งสัญญาณ 7 GND กราวด์ 1 8 LVTTL-I ModSelL เลือกโมดูล 9 LVTTL-I ResetL รีเซ็ตโมดูล 10 VccRx +3.3V แหล่งจ่ายไฟ ตัวรับ 2 11 LVCMOS-I/O SCL นาฬิกาอินเทอร์เฟซอนุกรม 2 สาย 12 LVCMOS-I/O SDA ข้อมูลอินเทอร์เฟซอนุกรม 2 สาย 13 GND กราวด์ 1 14 ตัวรับ CML-O Rx3p เอาต์พุตข้อมูลกลับด้านของตัวรับสัญญาณ 15 ตัวรับ CML-O Rx3n เอาต์พุตข้อมูลไม่กลับด้านของตัวรับสัญญาณ 16 GND กราวด์ 1 17 ตัวรับ CML-O Rx1p เอาต์พุตข้อมูลกลับด้านของตัวรับสัญญาณ 18 ตัวรับ CML-O Rx1n เอาต์พุตข้อมูลแบบไม่กลับด้าน 19 GND กราวด์ 1 20 GND กราวด์ 1 21 ตัวรับ CML-O Rx2n เอาต์พุตข้อมูลแบบไม่กลับด้าน 22 ตัวรับ CML-O Rx2p เอาต์พุตข้อมูลแบบไม่กลับด้าน 23 GND กราวด์ 1 24 ตัวรับ CML-O Rx4n เอาต์พุตข้อมูลแบบไม่กลับด้าน 25 ตัวรับ CML-O Rx4p เอาต์พุตข้อมูลแบบไม่กลับด้าน 26 GND กราวด์ 1 27 โมดูล ModPrsL LVTTL-O ที่มีอยู่ 28 อินเทอร์รัปต์ LVTTL-O IntL 29 แหล่งจ่ายไฟ VccTx +3.3V เครื่องส่งสัญญาณ 2 แหล่งจ่ายไฟ Vcc1 +3.3V 2 31 โหมดพลังงานต่ำ LVTTL-I LPMode 32 GND กราวด์ 1 33 เครื่องส่งสัญญาณ Tx3p CML-I เอาต์พุตข้อมูลแบบไม่กลับด้าน 34 เครื่องส่งสัญญาณ Tx3n CML-I เอาต์พุตข้อมูลแบบไม่กลับด้าน 35 GND กราวด์ 1 36 เครื่องส่งสัญญาณ CML-I Tx1p เอาต์พุตข้อมูลกลับด้าน 37 เครื่องส่งสัญญาณ CML-I Tx1n เอาต์พุตข้อมูลไม่กลับด้าน 38 GND กราวด์ 1 หมายเหตุ: GND คือสัญลักษณ์สำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบเดี่ยวและแบบทั่วไปสำหรับโมดูล QSFP ทั้งหมดเป็นแบบทั่วไปภายในโมดูล QSFP และแรงดันไฟฟ้าของโมดูลทั้งหมดอ้างอิงถึงศักย์ไฟฟ้านี้ มิฉะนั้นจะระบุไว้ เชื่อมต่อโดยตรงกับระนาบกราวด์ทั่วไปของสัญญาณบอร์ดโฮสต์ ปิดใช้งานเอาต์พุตเลเซอร์บน TDIS >2.0V หรือเปิด เปิดใช้งานบน TDIS